Numero di Prodotto del Fabbricante:
EMB4T2R
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
EMB4T2R-DG
Descrizione:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventario:
13522782
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
EMB4T2R Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
10kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
-
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
100 @ 1mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
-
Frequenza - Transizione
250MHz
Potenza - Max
150mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
EMT6
Numero di prodotto di base
EMB4T2
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Documenti di affidabilità
Risorse di progettazione
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
EMB4T2RCT
EMB4T2RDKR
EMB4T2RTR
EMB4T2R-ND
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
RN2911FE(TE85L,F)
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
3975
NUMERO DI PEZZO
RN2911FE(TE85L,F)-DG
PREZZO UNITARIO
0.04
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
