EMG1T2R
Numero di Prodotto del Fabbricante:

EMG1T2R

Product Overview

Produttore:

Rohm Semiconductor

Numero di Parte:

EMG1T2R-DG

Descrizione:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5

Inventario:

5932 Pz Nuovo Originale Disponibile
13522938
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EMG1T2R Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
22kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
22kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
56 @ 5mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
250MHz
Potenza - Max
150mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore
EMT5
Numero di prodotto di base
EMG1T2

Scheda dati e documenti

Documenti di affidabilità
EMT5 DTR Reliability Test
Risorse di progettazione
EMT5 Inner Structure
Schede tecniche
EMG1T2R EMT5 T2R Taping Spec

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
EMG1T2RCT
EMG1T2RDKR
EMG1T2RTR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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