Numero di Prodotto del Fabbricante:
EMA11T2R
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
EMA11T2R-DG
Descrizione:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Inventario:
13522808
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EMA11T2R Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo di transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
4.7kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
47kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
250MHz
Potenza - Max
150mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore
EMT5
Numero di prodotto di base
EMA11
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
8,000
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
RN2706JE(TE85L,F)
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
3000
NUMERO DI PEZZO
RN2706JE(TE85L,F)-DG
PREZZO UNITARIO
0.05
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
NUMERO DI PARTE
RN2906,LF
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
5268
NUMERO DI PEZZO
RN2906,LF-DG
PREZZO UNITARIO
0.03
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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