RN2911FE(TE85L,F)
Numero di Prodotto del Fabbricante:

RN2911FE(TE85L,F)

Product Overview

Produttore:

Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di Parte:

RN2911FE(TE85L,F)-DG

Descrizione:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6

Inventario:

3975 Pz Nuovo Originale Disponibile
12889418
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RN2911FE(TE85L,F) Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
10kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
-
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
200MHz
Potenza - Max
100mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
ES6
Numero di prodotto di base
RN2911

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
4,000
Altri nomi
RN2911FE(TE85LF)CT
RN2911FE(TE85LF)TR
RN2911FE(TE85LF)DKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
RoHS Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
NSBA114TDXV6T1G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
NSBA114TDXV6T1G-DG
PREZZO UNITARIO
0.05
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
DDA114TH-7
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
5848
NUMERO DI PEZZO
DDA114TH-7-DG
PREZZO UNITARIO
0.10
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
certification_01
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certification_03
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cr
certification_015
certification_08
esd
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