Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQPF630
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQPF630-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 6.3A TO220F
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 6.3A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventario:
12839249
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FQPF630 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6.3A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 3.15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
550 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
38W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220F-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
FQPF6
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
FQPF630-DG
2832-FQPF630
FQPF630OS
2156-FQPF630-488
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
RCX080N25
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
246
NUMERO DI PEZZO
RCX080N25-DG
PREZZO UNITARIO
0.43
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
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