Numero di Prodotto del Fabbricante:
HUF75329G3
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
HUF75329G3-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 55V 49A TO247-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 55 V 49A (Tc) 128W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
12839254
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HUF75329G3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
UltraFET™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
55 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
49A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 49A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 20 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1060 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
128W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
HUF75
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
150
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXTH80N075L2
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
226
NUMERO DI PEZZO
IXTH80N075L2-DG
PREZZO UNITARIO
4.29
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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