Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDS7066ASN3
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDS7066ASN3-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 19A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Inventario:
12839255
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FDS7066ASN3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
19A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2460 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SO FLMP
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Numero di prodotto di base
FDS70
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
FDS7066ASN3TR-NDR
FDS7066ASN3CT
FDS7066ASN3_NLTR-DG
FDS7066ASN3_NLTR
FDS7066ASN3TR
FDS7066ASN3_NL
FDS7066ASN3CT-NDR
FDS7066ASN3_NLCT-DG
FDS7066ASN3DKR
FDS7066ASN3_NLCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
FQB55N06TM
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
FQD13N10LTM_NBEL001
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
FDT458P
MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
