FDPF4D5N10C
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDPF4D5N10C

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDPF4D5N10C-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 128A TO220F
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 128A (Tc) 2.4W (Ta), 37.5W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventario:

898 Pz Nuovo Originale Disponibile
12839253
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FDPF4D5N10C Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
128A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 310µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
5065 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.4W (Ta), 37.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220F-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
FDPF4

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
FDP4D5N10C, FDPF4D5N10C
Scheda Dati HTML
FDPF4D5N10C-DG
Schede dati
FDPF4D5N10C

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
2156-FDPF4D5N10C-488

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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