Numero di Prodotto del Fabbricante:
TP65H035WSQA
Product Overview
Produttore:
Transphorm
Numero di Parte:
TP65H035WSQA-DG
Descrizione:
GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 47.2A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
202 Pz Nuovo Originale Disponibile
13446162
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TP65H035WSQA Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Transphorm
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
47.2A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Dissipazione di potenza (max)
187W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
TP65H035
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
60
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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