Numero di Prodotto del Fabbricante:
TPH3208LDG
Product Overview
Produttore:
Transphorm
Numero di Parte:
TPH3208LDG-DG
Descrizione:
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Inventario:
20 Pz Nuovo Originale Disponibile
13446350
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
TPH3208LDG Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Transphorm
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13A, 8V
vgs(th) (massimo) @ id
2.6V @ 300µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 8 V
Vgs (massimo)
±18V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
760 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
96W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
3-PQFN (8x8)
Pacchetto / Custodia
3-PowerDFN
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
60
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXFA22N65X2
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
250
NUMERO DI PEZZO
IXFA22N65X2-DG
PREZZO UNITARIO
2.56
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
TPH3208LS
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
TPH3205WSBQA
GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
TPH3202PD
GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
