Numero di Prodotto del Fabbricante:
TPH3205WSBQA
Product Overview
Produttore:
Transphorm
Numero di Parte:
TPH3205WSBQA-DG
Descrizione:
GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
13446407
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
TPH3205WSBQA Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Transphorm
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
62mOhm @ 22A, 8V
vgs(th) (massimo) @ id
2.6V @ 700µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 8 V
Vgs (massimo)
±18V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2200 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
TPH3205
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXFH60N65X2
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXFH60N65X2-DG
PREZZO UNITARIO
6.57
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
TP65H050WSQA
FABBRICANTE
Transphorm
QUANTITÀ DISPONIBILE
53
NUMERO DI PEZZO
TP65H050WSQA-DG
PREZZO UNITARIO
12.19
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
TPH3202PD
GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
TPH3206LDB
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
TPH3208LSG
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN