EMA3T2R
Numero di Prodotto del Fabbricante:

EMA3T2R

Product Overview

Produttore:

Rohm Semiconductor

Numero di Parte:

EMA3T2R-DG

Descrizione:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5

Inventario:

13523929
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EMA3T2R Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
4.7kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
-
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
100 @ 1mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
250MHz
Potenza - Max
150mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore
EMT5
Numero di prodotto di base
EMA3T2

Scheda dati e documenti

Documenti di affidabilità
Risorse di progettazione
Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
8,000

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
RN2710JE(TE85L,F)
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
3611
NUMERO DI PEZZO
RN2710JE(TE85L,F)-DG
PREZZO UNITARIO
0.05
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
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