EMG8T2R
Numero di Prodotto del Fabbricante:

EMG8T2R

Product Overview

Produttore:

Rohm Semiconductor

Numero di Parte:

EMG8T2R-DG

Descrizione:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5

Inventario:

7975 Pz Nuovo Originale Disponibile
13523956
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

EMG8T2R Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
4.7kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
47kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
250MHz
Potenza - Max
150mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore
EMT5
Numero di prodotto di base
EMG8T2

Scheda dati e documenti

Documenti di affidabilità
Risorse di progettazione
Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
EMG8T2RCT
EMG8T2RTR
EMG8T2RDKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
NSB1706DMW5T1G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
4465
NUMERO DI PEZZO
NSB1706DMW5T1G-DG
PREZZO UNITARIO
0.03
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
rohm-semi

EMB11FHAT2R

TRANS 2PNP 100MA EMT6

rohm-semi

FMC3AT148

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT5

rohm-semi

IMD8AT108

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

rohm-semi

IMH6AT108

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6