Numero di Prodotto del Fabbricante:
EMB11FHAT2R
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
EMB11FHAT2R-DG
Descrizione:
TRANS 2PNP 100MA EMT6
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventario:
3380 Pz Nuovo Originale Disponibile
13523974
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EMB11FHAT2R Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo di transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
-
Resistore - Base (R1)
10kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
10kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
30 @ 5mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
-
Frequenza - Transizione
250MHz
Potenza - Max
150mW
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
EMT6
Numero di prodotto di base
EMB11
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
EMB11FHAT2RDKR
EMB11FHAT2RCT
EMB11FHAT2RTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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