NVMFS2D3P04M8LT1G
Numero di Prodotto del Fabbricante:

NVMFS2D3P04M8LT1G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

NVMFS2D3P04M8LT1G-DG

Descrizione:

MV8 P INITIAL PROGRAM
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 40 V 31A (Ta), 222A (Tc) 3.8W (Ta), 205W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Inventario:

95 Pz Nuovo Originale Disponibile
12974262
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NVMFS2D3P04M8LT1G Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
31A (Ta), 222A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.4V @ 2.7mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
157 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
5985 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.8W (Ta), 205W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN, 5 Leads

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
NVMFS2D3P04M8L
Scheda Dati HTML
NVMFS2D3P04M8LT1G-DG
Schede dati
NVMFS2D3P04M8LT1G

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
1,500
Altri nomi
488-NVMFS2D3P04M8LT1GDKR
488-NVMFS2D3P04M8LT1GTR
488-NVMFS2D3P04M8LT1GCT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
NVMFS2D3P04M8LT1G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
95
NUMERO DI PEZZO
NVMFS2D3P04M8LT1G-DG
PREZZO UNITARIO
1.45
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
NUMERO DI PARTE
RS1G201ATTB1
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
7266
NUMERO DI PEZZO
RS1G201ATTB1-DG
PREZZO UNITARIO
1.12
TIPO DI SOSTITUZIONE
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