Numero di Prodotto del Fabbricante:
RS1G201ATTB1
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
RS1G201ATTB1-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 40 V 20A (Ta), 78A (Tc) 3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventario:
7266 Pz Nuovo Originale Disponibile
12985737
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
RS1G201ATTB1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
6890 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-HSOP
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
RS1G
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
846-RS1G201ATTB1TR
846-RS1G201ATTB1CT
846-RS1G201ATTB1DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
DMT35M4LFVW-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
SIHA15N60E-GE3
N-CHANNEL 600V
DMPH4013SPS-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
