Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQN1N60CTA
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQN1N60CTA-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 300mA (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventario:
17584 Pz Nuovo Originale Disponibile
12846864
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FQN1N60CTA Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Box (TB)
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
300mA (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5Ohm @ 150mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
170 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1W (Ta), 3W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-92-3
Pacchetto / Custodia
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Numero di prodotto di base
FQN1N60
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
FQN1N60CTA-DG
FQN1N60CTATB
FQN1N60CTACT
FQN1N60CTADKR-DG
FQN1N60CTADKR
FQN1N60CTADKRINACTIVE
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
FQN1N50CTA
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
3302
NUMERO DI PEZZO
FQN1N50CTA-DG
PREZZO UNITARIO
0.24
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
STQ1NK60ZR-AP
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
7349
NUMERO DI PEZZO
STQ1NK60ZR-AP-DG
PREZZO UNITARIO
0.17
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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