Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQN1N50CTA
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQN1N50CTA-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 380mA (Tc) 890mW (Ta), 2.08W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventario:
3302 Pz Nuovo Originale Disponibile
12846565
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FQN1N50CTA Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Cut Tape (CT)
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
380mA (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
195 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-92-3
Pacchetto / Custodia
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Numero di prodotto di base
FQN1N50
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
FQN1N50CTA-DG
FQN1N50CTACT
FQN1N50CTADKRINACTIVE
FQN1N50CTADKR
2156-FQN1N50CTA-OS
FQN1N50CTADKR-DG
FQN1N50CTATB
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STQ2HNK60ZR-AP
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
9835
NUMERO DI PEZZO
STQ2HNK60ZR-AP-DG
PREZZO UNITARIO
0.28
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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