Numero di Prodotto del Fabbricante:
STQ1NK60ZR-AP
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STQ1NK60ZR-AP-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 300mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventario:
7349 Pz Nuovo Originale Disponibile
12877823
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STQ1NK60ZR-AP Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
Tape & Box (TB)
Serie
SuperMESH™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
300mA (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15Ohm @ 400mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 50µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
6.9 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
94 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-92-3
Pacchetto / Custodia
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Numero di prodotto di base
STQ1NK60
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
-497-12343-1
STQ1NK60ZRAP
-497-12343-3
497-12343-1
497-12343-3
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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