Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDC855N

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDC855N-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 30 V 6.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Inventario:

6369 Pz Nuovo Originale Disponibile

12846737

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FDC855N Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

PowerTrench®

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

30 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

6.1A (Ta)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 6.1A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

3V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

13 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

655 pF @ 15 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SuperSOT™-6

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Numero di prodotto di base

FDC855

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

3,000

Altri nomi

FDC855NTR

2832-FDC855N

FDC855NCT

FDC855NDKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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