Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDN5618P
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDN5618P-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 60 V 1.25A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventario:
31131 Pz Nuovo Originale Disponibile
12846740
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FDN5618P Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.25A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
13.8 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
430 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
500mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23-3
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
FDN5618
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
FDN5618PCT
2832-FDN5618PTR
FDN5618PDKR
FDN5618PTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
FDMS86255
MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56
IPA80R600P7XKSA1
MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220
FQD8P10TM_SB82052
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
