Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPA80R600P7XKSA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPA80R600P7XKSA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventario:
73 Pz Nuovo Originale Disponibile
12846744
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IPA80R600P7XKSA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 170µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
570 pF @ 500 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
28W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO220-FP
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
IPA80R600
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
IPA80R600P7XKSA1-DG
SP001644604
448-IPA80R600P7XKSA1
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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