Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDB2532
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDB2532-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 150 V 8A (Ta), 79A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
3812 Pz Nuovo Originale Disponibile
12839608
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FDB2532 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
150 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8A (Ta), 79A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
5870 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
310W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
FDB253
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Altri nomi
FDB2532CT
2156-FDB2532-OS
FDB2532TR
ONSFSCFDB2532
FDB2532DKR
2266-FDB2532
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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