MTY100N10E
Numero di Prodotto del Fabbricante:

MTY100N10E

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

MTY100N10E-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 100A TO264
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-264

Inventario:

12839620
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MTY100N10E Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
378 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
10640 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-264
Pacchetto / Custodia
TO-264-3, TO-264AA
Numero di prodotto di base
MTY10

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
25
Altri nomi
MTY100N10EOS

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
APT10M09LVFRG
FABBRICANTE
Microchip Technology
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
APT10M09LVFRG-DG
PREZZO UNITARIO
21.66
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IXTK170N10P
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXTK170N10P-DG
PREZZO UNITARIO
7.91
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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