Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQU2N100TU
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQU2N100TU-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1000 V 1.6A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventario:
12839619
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FQU2N100TU Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1000 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9Ohm @ 800mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
15.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
520 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I-PAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
FQU2N100
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
70
Altri nomi
2156-FQU2N100TU-OS
ONSONSFQU2N100TU
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STU7N105K5
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
STU7N105K5-DG
PREZZO UNITARIO
1.21
TIPO DI SOSTITUZIONE
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