Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDB12N50TM
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDB12N50TM-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 11.5A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
1 Pz Nuovo Originale Disponibile
12921893
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FDB12N50TM Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
UniFET™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1315 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
165W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
FDB12N50
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Altri nomi
FDB12N50TMTR
FDB12N50TMCT
FDB12N50TMDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXFA12N50P
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
298
NUMERO DI PEZZO
IXFA12N50P-DG
PREZZO UNITARIO
1.82
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IXTA12N50P
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
24
NUMERO DI PEZZO
IXTA12N50P-DG
PREZZO UNITARIO
1.71
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
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