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Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXFA12N50P
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXFA12N50P-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
Inventario:
298 Pz Nuovo Originale Disponibile
12819520
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IXFA12N50P Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1830 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
200W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263AA (IXFA)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
IXFA12
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
IXF(A,P)12N50P
Scheda Dati HTML
IXFA12N50P-DG
Schede dati
IXFA12N50P
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
-IXFA12N50P
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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