IXFA12N50P
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXFA12N50P

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXFA12N50P-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)

Inventario:

298 Pz Nuovo Originale Disponibile
12819520
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

IXFA12N50P Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1830 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
200W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263AA (IXFA)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
IXFA12

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
IXF(A,P)12N50P
Scheda Dati HTML
IXFA12N50P-DG
Schede dati
IXFA12N50P

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50
Altri nomi
-IXFA12N50P

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Prodotti correlati
littelfuse

IXFV30N60P

MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220

littelfuse

IXTH24N65X2

MOSFET N-CH 650V 24A TO247

littelfuse

IXFN64N50PD2

MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B

littelfuse

IXFN70N60Q2

MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B