Numero di Prodotto del Fabbricante:
ATP114-TL-H
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
ATP114-TL-H-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 60 V 55A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount ATPAK
Inventario:
12921908
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ATP114-TL-H Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
55A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
-
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4000 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
60W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
ATPAK
Pacchetto / Custodia
ATPAK (2 Leads+Tab)
Numero di prodotto di base
ATP114
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
ATP114-TL-HOSDKR
ATP114-TL-HOSTR
ATP114-TL-H-DG
ATP114-TL-HOSCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
2000
NUMERO DI PEZZO
TJ50S06M3L(T6L1,NQ-DG
PREZZO UNITARIO
0.74
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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