ATP114-TL-H
Numero di Prodotto del Fabbricante:

ATP114-TL-H

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

ATP114-TL-H-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 60 V 55A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount ATPAK

Inventario:

12921908
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

ATP114-TL-H Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
55A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
-
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4000 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
60W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
ATPAK
Pacchetto / Custodia
ATPAK (2 Leads+Tab)
Numero di prodotto di base
ATP114

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
ATP114-TL-HOSDKR
ATP114-TL-HOSTR
ATP114-TL-H-DG
ATP114-TL-HOSCT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
2000
NUMERO DI PEZZO
TJ50S06M3L(T6L1,NQ-DG
PREZZO UNITARIO
0.74
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
onsemi

BSS138

MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3

onsemi

FDS4465-F085

MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC

onsemi

NTB5605P

MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK

onsemi

FQP27N25

MOSFET N-CH 250V 25.5A TO220-3