Numero di Prodotto del Fabbricante:
FCP850N80Z
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FCP850N80Z-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 136W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
766 Pz Nuovo Originale Disponibile
12847323
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FCP850N80Z Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
SuperFET® II
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 600µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1315 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
FCP850
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Altri nomi
2156-FCP850N80Z-OS
ONSONSFCP850N80Z
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXTP4N65X2
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
232
NUMERO DI PEZZO
IXTP4N65X2-DG
PREZZO UNITARIO
1.12
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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