Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXTP4N65X2
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXTP4N65X2-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
232 Pz Nuovo Originale Disponibile
12821752
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IXTP4N65X2 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
Ultra X2
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
455 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
80W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
IXTP4
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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