Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDD8778
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDD8778-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12847328
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FDD8778 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
25 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
845 pF @ 13 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
39W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
FDD877
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
FDD8778CT
FDD8778TR
FDD8778DKR
2156-FDD8778-OS
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IPD135N03LGATMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
31780
NUMERO DI PEZZO
IPD135N03LGATMA1-DG
PREZZO UNITARIO
0.26
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
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