Numero di Prodotto del Fabbricante:
FCP360N65S3R0
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FCP360N65S3R0-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
411 Pz Nuovo Originale Disponibile
12851229
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FCP360N65S3R0 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
SuperFET® III
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
730 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
FCP360
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
2156-FCP360N65S3R0-488
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STP16N65M2
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
STP16N65M2-DG
PREZZO UNITARIO
1.01
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STP13NM60N
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
649
NUMERO DI PEZZO
STP13NM60N-DG
PREZZO UNITARIO
2.01
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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