FQI8N60CTU
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FQI8N60CTU

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FQI8N60CTU-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventario:

12851231
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

FQI8N60CTU Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3.75A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1255 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.13W (Ta), 147W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-262 (I2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
FQI8N60

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
2156-FQI8N60CTU-OS
FAIFSCFQI8N60CTU
2832-FQI8N60CTU

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
STI4N62K3
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
STI4N62K3-DG
PREZZO UNITARIO
0.46
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
onsemi

FDB8896-F085

MOSFET N-CH 30V 19A/93A TO263AB

onsemi

FCP220N80

MOSFET N-CH 800V 23A TO220-3

onsemi

HUF75343P3

MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3

onsemi

FQPF47P06

MOSFET P-CH 60V 30A TO220F