Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQI8N60CTU
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQI8N60CTU-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventario:
12851231
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FQI8N60CTU Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3.75A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1255 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.13W (Ta), 147W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-262 (I2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
FQI8N60
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
2156-FQI8N60CTU-OS
FAIFSCFQI8N60CTU
2832-FQI8N60CTU
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STI4N62K3
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
STI4N62K3-DG
PREZZO UNITARIO
0.46
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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