Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Francia
Spagna
Turchia
Moldavia
Lituania
Norvegia
Germania
Portogallo
Slovacchia
Italia
Finlandia
Russo
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Serbia
Belarus
Paesi Bassi
Svezia
Montenegro
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Romania
Austria
Belgio
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Repubblica Democratica del Congo
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Angola
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
STP16N65M2
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STP16N65M2-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
RFQ Online
12878204
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
STP16N65M2 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
Tube
Serie
MDmesh™ M2
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
19.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
718 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
110W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
STP16
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
STx16N65M2
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
-497-15275-5
497-15275-5
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
TK14E65W5,S1X
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
15
NUMERO DI PEZZO
TK14E65W5,S1X-DG
PREZZO UNITARIO
1.26
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IXFP12N65X2
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
290
NUMERO DI PEZZO
IXFP12N65X2-DG
PREZZO UNITARIO
1.73
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
FCP380N60E
FABBRICANTE
Fairchild Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
25616
NUMERO DI PEZZO
FCP380N60E-DG
PREZZO UNITARIO
1.30
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
FCP380N60
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
FCP380N60-DG
PREZZO UNITARIO
1.20
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
TK10E60W,S1VX
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
30
NUMERO DI PEZZO
TK10E60W,S1VX-DG
PREZZO UNITARIO
1.31
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
STB21NM60N-1
MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK
STF14N80K5
MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
STW33N60M6
MOSFET N-CH 600V TO247
STD3NK50Z-1
MOSFET N-CH 500V 2.3A IPAK