Numero di Prodotto del Fabbricante:
FCP104N60
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FCP104N60-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
328 Pz Nuovo Originale Disponibile
12839139
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FCP104N60 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
SuperFET® II
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
37A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
104mOhm @ 18.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4165 pF @ 380 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
357W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
FCP104
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
FCP104N60OS
FCP104N60-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
TK25E60X,S1X
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
13
NUMERO DI PEZZO
TK25E60X,S1X-DG
PREZZO UNITARIO
1.80
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STP33N60DM2
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
3750
NUMERO DI PEZZO
STP33N60DM2-DG
PREZZO UNITARIO
2.32
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STP34N65M5
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
241
NUMERO DI PEZZO
STP34N65M5-DG
PREZZO UNITARIO
2.82
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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