FDD3860

Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDD3860

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDD3860-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 100 V 6.2A (Ta) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventario:

4493 Pz Nuovo Originale Disponibile

12839154

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FDD3860 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

PowerTrench®

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

100 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

6.2A (Ta)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 5.9A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

4.5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

31 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

1740 pF @ 50 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 69W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252AA

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Numero di prodotto di base

FDD386

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

2,500

Altri nomi

FDD3860TR

2156-FDD3860-OS

FDD3860CT

FDD3860DKR

ONSONSFDD3860

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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