Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQD5N60CTM
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQD5N60CTM-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 2.8A (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12839140
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FQD5N60CTM Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
670 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 49W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
FQD5N60
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
FQD5N60CTMDKR
FQD5N60CTMTR
FQD5N60CTMCT
FQD5N60CTM-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STD3N62K3
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
3586
NUMERO DI PEZZO
STD3N62K3-DG
PREZZO UNITARIO
0.36
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STD4N62K3
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
5433
NUMERO DI PEZZO
STD4N62K3-DG
PREZZO UNITARIO
0.73
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
FDP80N06
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
FQP13N06
MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3
FDD3860
MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK