Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Francia
Spagna
Turchia
Moldavia
Lituania
Norvegia
Germania
Portogallo
Slovacchia
Italia
Finlandia
Russo
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Serbia
Belarus
Paesi Bassi
Svezia
Montenegro
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Romania
Austria
Belgio
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Repubblica Democratica del Congo
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Angola
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
5LN01C-TB-E
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
5LN01C-TB-E-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 50 V 100mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-59-3/CP3
Inventario:
RFQ Online
12835357
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
5LN01C-TB-E Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
50 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.8Ohm @ 50mA, 4V
vgs(th) (massimo) @ id
-
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
1.57 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
6.6 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
250mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SC-59-3/CP3
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
5LN01
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
5LN01C-TB-EOSCT
5LN01C-TB-EOSTR
5LN01C-TB-EOSDKR
2156-5LN01C-TB-E
ONSONS5LN01C-TB-E
5LN01C-TB-E-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
RUC002N05T116
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
611414
NUMERO DI PEZZO
RUC002N05T116-DG
PREZZO UNITARIO
0.03
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
2N7002KW
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
7565
NUMERO DI PEZZO
2N7002KW-DG
PREZZO UNITARIO
0.05
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
BS108ZL1G
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
AUIRFS3107
MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
BSS123_D87Z
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
AUIRFZ24NSTRR
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK