Numero di Prodotto del Fabbricante:
BS108ZL1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
BS108ZL1G-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92 (TO-226)
Inventario:
12835360
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BS108ZL1G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
250mA (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2V, 2.8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 100mA, 2.8V
vgs(th) (massimo) @ id
1.5V @ 1mA
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
150 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
350mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-92 (TO-226)
Pacchetto / Custodia
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Numero di prodotto di base
BS108
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
BS108ZL1GOSTB
BS108ZL1GOS-DG
BS108ZL1GOSCT
BS108ZL1GOS
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
TN0620N3-G
FABBRICANTE
Microchip Technology
QUANTITÀ DISPONIBILE
292
NUMERO DI PEZZO
TN0620N3-G-DG
PREZZO UNITARIO
1.16
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
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