RUC002N05T116
Numero di Prodotto del Fabbricante:

RUC002N05T116

Product Overview

Produttore:

Rohm Semiconductor

Numero di Parte:

RUC002N05T116-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SST3

Inventario:

611414 Pz Nuovo Originale Disponibile
13524887
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RUC002N05T116 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
50 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 1mA
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
25 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
200mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SST3
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
RUC002

Scheda dati e documenti

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
RUC002N05T116-ND
RUC002N05T116CT
RUC002N05T116DKR
RUC002N05MGT116
RUC002N05T116TR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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