Numero di Prodotto del Fabbricante:
BST82,215
Product Overview
Produttore:
Nexperia USA Inc.
Numero di Parte:
BST82,215-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB
Inventario:
47865 Pz Nuovo Originale Disponibile
12829235
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BST82,215 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Nexperia
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
190mA (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 150mA, 5V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 1mA
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
40 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
830mW (Tc)
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-236AB
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
BST82
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
5202-BST82,215TR
568-6229-6-DG
568-6229-2
568-6229-2-DG
BST82 T/R
568-6229-1
568-6229-1-DG
1727-4937-2
1727-4937-6
BST82,215-DG
1727-4937-1
BST82 T/R-DG
933733110215
568-6229-6
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
ZVN3310FTA
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
6862
NUMERO DI PEZZO
ZVN3310FTA-DG
PREZZO UNITARIO
0.19
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
BSS123LT1G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
217861
NUMERO DI PEZZO
BSS123LT1G-DG
PREZZO UNITARIO
0.03
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
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