BSS123LT1G

Numero di Prodotto del Fabbricante:

BSS123LT1G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

BSS123LT1G-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 100 V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventario:

217861 Pz Nuovo Originale Disponibile

12836751

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BSS123LT1G Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

100 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

170mA (Ta)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 100mA, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

2.6V @ 1mA

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

20 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

225mW (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Numero di prodotto di base

BSS123

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

BSS123LT1G, BVSS123LT1G

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

3,000

Altri nomi

BSS123LT1GOSCT

BSS123LT1GOSTR

BSS123LT1GOSDKR

2156-BSS123LT1G-OS

ONSONSBSS123LT1G

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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