ZVN3310FTA

Numero di Prodotto del Fabbricante:

ZVN3310FTA

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

ZVN3310FTA-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 100 V 100mA (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventario:

6862 Pz Nuovo Originale Disponibile

12905628

Richiedi preventivo

Quantità
Minimo 1

(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore

INVIA

ZVN3310FTA Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Diodes Incorporated

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

100 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

100mA (Ta)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10Ohm @ 500mA, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

2.4V @ 1mA

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

40 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

330mW (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Numero di prodotto di base

ZVN3310

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

3,000

Altri nomi

BST82

MR

ZVN3310FTR-NDR

ZVN3310F

ZVN3310FTR

ZVN3310FCT-NDR

Q2955481

ZVN3310FCT

ZVN3310FDKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Prodotti correlati

vishay-siliconix

IRFD123PBF

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP

vishay-siliconix

IRFP32N50KPBF

MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3

littelfuse

IXTA08N100D2

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263

IXTY02N50D-TRL

MOSFET N-CH