Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Repubblica Democratica del Congo
Argentina
Turchia
Romania
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacchia
Italia
Finlandia
Belarus
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Montenegro
Russo
Belgio
Svezia
Serbia
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Moldavia
Germania
Paesi Bassi
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Francia
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Portogallo
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spagna
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRF7853PBF
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IRF7853PBF-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventario:
RFQ Online
12804772
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
IRF7853PBF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
-
Serie
HEXFET®
Stato del prodotto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 8.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.9V @ 100µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1640 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SO
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
IRF7853PbF
Scheda Dati HTML
IRF7853PBF-DG
Schede dati
IRF7853PBF
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
95
Altri nomi
SP001566352
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
DMT8012LSS-13
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
1064
NUMERO DI PEZZO
DMT8012LSS-13-DG
PREZZO UNITARIO
0.30
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
FDS86141
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
9995
NUMERO DI PEZZO
FDS86141-DG
PREZZO UNITARIO
0.91
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
SI4896DY-T1-E3
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
SI4896DY-T1-E3-DG
PREZZO UNITARIO
0.73
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
FDS3672
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
2534
NUMERO DI PEZZO
FDS3672-DG
PREZZO UNITARIO
0.52
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
IRF6619
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
IPW60R250CP
MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
IRF5305STRLPBF
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
IRFZ46NSTRL
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK