FDS86141

Numero di Prodotto del Fabbricante:

FDS86141

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FDS86141-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 7A 8SOIC

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 100 V 7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

9995 Pz Nuovo Originale Disponibile

12838728

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FDS86141 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

PowerTrench®

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

100 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

7A (Ta)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

4V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

16.5 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

934 pF @ 50 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Numero di prodotto di base

FDS86

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

2,500

Altri nomi

FDS86141TR

FDS86141CT

FDS86141DKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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