Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRF6619
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IRF6619-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 20 V 30A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventario:
13859 Pz Nuovo Originale Disponibile
12804774
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IRF6619 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Cut Tape (CT)
Serie
HEXFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
30A (Ta), 150A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.45V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
5040 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
DIRECTFET™ MX
Pacchetto / Custodia
DirectFET™ Isometric MX
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
4,800
Altri nomi
SP001526848
IRF6619CT
IRF6619TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRF6619TR1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
7158
NUMERO DI PEZZO
IRF6619TR1-DG
PREZZO UNITARIO
1.19
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
NUMERO DI PARTE
IRF6619TR1PBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
2000
NUMERO DI PEZZO
IRF6619TR1PBF-DG
PREZZO UNITARIO
1.23
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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