Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRF540NPBF
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IRF540NPBF-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 33A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
148341 Pz Nuovo Originale Disponibile
12804167
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IRF540NPBF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tube
Serie
HEXFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
44mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1960 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
130W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220AB
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
IRF540
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
64-0092PBF-DG
64-0092PBF
*IRF540NPBF
SP001561906
2156-IRF540NPBF
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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