Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPD200N15N3GBTMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPD200N15N3GBTMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 150 V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
12804171
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IPD200N15N3GBTMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
-
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
150 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 90µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1820 pF @ 75 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO252-3
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
IPD200N
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
IPD200N15N3 GDKR
IPD200N15N3 GCT
IPD200N15N3 GTR-DG
IPD200N15N3G
IPD200N15N3GBTMA1TR
IPD200N15N3 GCT-DG
SP000386665
IPD200N15N3GBTMA1DKR
IPD200N15N3 G-DG
IPD200N15N3 GTR
IPD200N15N3 GDKR-DG
IPD200N15N3GBTMA1CT
IPD200N15N3 G
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IPD200N15N3GATMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
51180
NUMERO DI PEZZO
IPD200N15N3GATMA1-DG
PREZZO UNITARIO
1.19
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
NUMERO DI PARTE
FDD86250
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
1640
NUMERO DI PEZZO
FDD86250-DG
PREZZO UNITARIO
0.90
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
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