Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPD30N06S215ATMA2
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPD30N06S215ATMA2-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventario:
4675 Pz Nuovo Originale Disponibile
12804172
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IPD30N06S215ATMA2 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
55 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 80µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1485 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO252-3-11
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
IPD30N06
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
SP001061724
IPD30N06S215ATMA2DKR
2156-IPD30N06S215ATMA2
IPD30N06S215ATMA2TR
IPD30N06S215ATMA2CT
IPD30N06S215ATMA2-DG
INFINFIPD30N06S215ATMA2
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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