Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDD86250
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FDD86250-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 150 V 8A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
1640 Pz Nuovo Originale Disponibile
12838703
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FDD86250 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
150 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8A (Ta), 50A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2110 pF @ 75 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.1W (Ta), 132W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
FDD862
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
FDD86250-DG
FDD86250CT
FDD86250TR
FDD86250DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IPD200N15N3GATMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
51180
NUMERO DI PEZZO
IPD200N15N3GATMA1-DG
PREZZO UNITARIO
1.19
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
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